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低功耗、低成本、瞬時啟動、高安全性的非易失性可編輯邏輯器件。

高云半導體GW1N系列產品是高云半導體小蜜蜂^?(LittleBee^?)家族第一代產品，具有低功耗、瞬時啟動、低成本、非易失性、高安全性、封裝類型豐富、使用方便靈活等特點。

高云半導體 GW1N 系列 FPGA 產品(車規級)是高云半導體小蜜蜂^?(LittleBee^?)家族第一代產品，具有較豐富的邏輯資源，支持多種 I/O 電平標準，內嵌塊狀靜態隨機存儲器、數字信號處理模塊、鎖相環資源，此外，內嵌 Flash 資源，是一款具有非易失性的 FPGA 產品，具有低功耗、瞬時啟動、低成本、高安全性、產品尺寸小、封裝類型豐富、使用方便靈活等特點。

高云半導體 GW1NR系列產品是一款系統級封裝芯片，在 GW1N 基礎上集成了豐富容量的 SDRAM 存儲芯片，同時具有低功耗、瞬時啟動、低成本、非易失性、高安全性、封裝類型豐富、使用方便靈活等特點。

高云半導體 GW1NS系列包括SoC產品（封裝前帶“C”的器件）和非SoC產品（封裝前不帶“C”的器件）。SoC產品內嵌 ARM Cortex-M3硬核處理器，而非SoC產品內部沒有ARM Cortex-M3 硬核處理器。此外， GW1NS系列產品內嵌用戶閃存。以 ARM Cortex-M3 硬核處理器為核心，具備了實現系統功能所需要的最小內存；內嵌的邏輯模塊單元方便靈活，可實現多種外設控制功能，能提供出色的計算功能和異常系統響應中斷，具有高性能、低功耗、管腳數量少、使用靈活、瞬時啟動、低成本、非易失性、高安全性、封裝類型豐富等特點。GW1NS 系列 SoC產品實現了可編程邏輯器件和嵌入式處理器的無縫連接，兼容多種外圍器件標準，可大幅降低用戶成本，可廣泛應用于工業控制、通信、物聯網、伺服驅動、消費等多個領域。

高云半導體 GW1NZ系列產品是高云半導體小蜜蜂?(LittleBee?)家族第一代低功耗產品，具有低功耗、低成本、瞬時啟動、非易失性、高安全性、封裝類型豐富、使用方便靈活等特點，可廣泛應用于通信、工業控制、消費類、視頻監控等領域。

高云半導體 GW1NZ 系列 FPGA 產品(車規級)是高云半導體小蜜蜂? (LittleBee?)家族第一代低功耗產品，具有低功耗、低成本、瞬時啟動、非易失性、高安全性、封裝類型豐富、使用方便靈活等特點，可廣泛應用于通信、工業控制、消費類、視頻監控等領域。

高云半導體GW1NSR系列產品是高云半導體小蜜蜂?(LittleBee?)家族第一代可編輯邏輯器件產品，是一款系統級封裝芯片，內部集成了 GW1NS系列可編輯邏輯器件產品和PSRAM存儲芯片。此外，GW1NSR系列產品內嵌用戶閃存。

GW1NSE安全芯片產品提供嵌入式安全元件，支持基于PUF技術的信任根。每個設備在出廠時都配有一個永遠不會暴露在設備外部的唯一密鑰。高安全性特性使得GW1NSE適用于各種消費和工業物聯網，邊緣和服務器管理應用。

GW1NSER 系列安全芯片產品與 GW1NSR 系列產品具有相同的硬件組成單元，唯一的區別是在制造過程中，在 GW1NSER 系列安全芯片產品內部非易失性 User Flash 中提前存儲了一次性編程（OTP）認證碼。具有該認證碼的器件可用于實現加密、解密、密鑰/公鑰生成、安全通信等應用。

高云半導體 GW1NRF 系列藍牙 FPGA 產品是一款系統級封裝芯片，是一款 SoC 芯片。器件以 32 位硬核微處理器為核心，支持藍牙 5.0 低功耗射頻功能，具有豐富的邏輯單元、內嵌 B-SRAM 和 DSP 資源，IO 資源豐富，系統內部有電源管理模塊和安全加密模塊。具有高性能、低功耗、瞬時啟動、低成本、非易失性、高安全性、封裝類型豐富、使用方便靈活等特點。

GW1NGW1N(車規級)GW1NRGW1NSGW1NZGW1NSRGW1NSE 安全芯片GW1NSER 安全芯片GW1NRF 藍牙可編輯邏輯器件

優勢

特性

低功耗

-?? 55nm 嵌入式閃存工藝

-?? LV 版本：支持 1.2V 核電壓

-?? UV 版本：支持器件 VCC/ VCCO/ VCCx統一供電

注！GW1N-1S 僅支持 LV 版本;

-?? 支持時鐘動態打開/關閉

用戶閃存資源

（GW1N-1 和 GW1N-1S）

- ? 100,000次寫壽命周期

- ? 超過10年的數據保存能力(+85℃)

- ? 可選的數據輸入輸出位寬8/16/32

- ? 頁存儲空間：256 Bytes

- ? 3μA旁路電流

- ? 頁寫入時間：8.2ms

用戶閃存資源

（GW1N-1P5/2/4/9）

-?? 10,000 次寫壽命周期

-?? 超過10年的數據保存能力(+85℃)

-?? 數據位寬：32

-?? GW1N-1/1P5/1S/2 存儲容量：96K bits

-?? GW1N-4 存儲容量：256K bits

-?? GW1N-9 存儲容量：608K bits

-?? 頁擦除能力：2,048 bytes

-?? 字編程時間：≤16μs

-?? 頁擦除時間：≤120ms

配置閃存資源

（GW1N-1 和 GW1N-1S）

-?? 100,000 次寫壽命周期

-?? 超過10年的數據保存能力(+85℃)

配置閃存資源

（GW1N-1P5/2/4/9）

-?? 10,000 次寫壽命周期

-?? 超過10年的數據保存能力(+85℃)

硬核 MIPI D-PHY RX(GW1N-2)

-?? 支持 MIPI DSI 和 MIPI CSI-2 RX 器件接口

-?? CS42 封裝中 IO Bank6 支持 MIPI D-PHY RX

-?? MIPI 傳輸速率單通道可達 2Gbps

-?? 支持最多四個數據通道和一個時鐘通道

GPIO 支持 MIPI D-PHY RX/TX

-?? 支持 MIPI CSI-2 和 MIPI DSI，RX 和 TX 器件接口，傳輸速率單通道可達 1.2Gbps

-?? GW1N-1S 器件的 Bank0/Bank1 支持 MIPI IO 輸入

-?? GW1N-2/GW1N-1P5 器件的 Bank0/Bank3/Bank4/Bank5 支持 MIPI IO 輸出(支持動態 ODT)

-?? GW1N-2/GW1N-1P5 器件的 Bank2 支持 MIPI IO 輸入(支持動態ODT)

-?? GW1N-9 器件 Bank0 支持 MIPI IO 輸入(支持動態 ODT)

-?? GW1N-9 器件 Bottom 層支持 MIPI IO 輸出

-?? GW1N-9 器件 Top 層和 Bottom 層 I/O 支持 I3C

支持多種I/O電平標準

- ?? LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I，SSTL33/25/18 II，SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I； PCI，LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE，MLVDSE，LVPECLE，RSDSE

- ? ?提供輸入信號遲滯選項

- ? ?支持4mA、8mA、16mA、24mA等驅動能力

- ? ?提供輸出信號驅動電流選項

- ? ?對每個I/O提供獨立的Bus Keeper、上拉/下拉電阻及Open Drain輸出選項

- ? ?支持熱插拔

高性能DSP模塊(GW1N-4/9)

-?? 高性能數字信號處理能力

-?? 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits的乘法運算和54bits累加器

-?? 支持多個乘法器級聯

-?? 支持寄存器流水線和旁路功能

-?? 預加運算實現濾波器功能

-?? 支持桶形移位寄存器

豐富的基本邏輯單元

- ? 4輸入LUT(LUT4)

- ? 支持移位寄存器和分布式存儲器

支持多種模式的靜態隨機存儲器

- ? 支持雙端口、單端口以及偽雙端口模式

- ? 支持字節寫使能

靈活的PLL資源

- ? 實現時鐘的倍頻、分頻和相移

- ? 全局時鐘網絡資源

內置Flash編程

- ? 瞬時啟動

- ? 支持安全位操作

- ? 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT編程模式

編程配置模式

- ? 支持JTAG配置模式

- ? 支持背景升級

- ? 支持多達7種GowinCONFIG配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT、I2C Slave

優勢	特性
用戶閃存資源（GW1N-2/4）	-?? 10,000 次寫壽命周期 -?? 超過 10 年的數據保存能力(+85℃) -?? 數據位寬：32 -?? 行存儲容量：256-Byte -?? 頁擦除能力：2,048-Byte -?? 字編程時間：≤16μs -?? 頁擦除時間：≤120ms
低功耗	-?? 55nm 嵌入式閃存工藝 -?? LV 版本：支持 1.2V 核電壓 -?? 支持時鐘動態打開/關閉
支持多種I/O電平標準	- ? LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，SSTL15；HSTL18 I ，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI，LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - ? 提供輸入信號遲滯選項 - ? 支持4mA、8mA、16mA、24mA等驅動能力 - ? 提供輸出信號驅動電流選項 - ? 對每個I/O提供獨立的Bus Keeper、上拉/下拉電阻及Open Drain輸出選項 - ? 支持熱插拔
高性能DSP模塊	-?? 高性能數字信號處理能力 -?? 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits的乘法運算和54bits累加器 -?? 支持多個乘法器級聯 -?? 支持寄存器流水線和旁路功能 -?? 預加運算實現濾波器功能 -?? 支持桶形移位寄存器
豐富的基本邏輯單元	- ? 4輸入LUT(LUT4) - ? 支持移位寄存器和分布式存儲器
支持多種模式的靜態隨機存儲器	- ? 支持雙端口、單端口以及偽雙端口模式 - ? 支持字節寫使能
靈活的PLL資源	- ? 實現時鐘的倍頻、分頻和相移 - ? 全局時鐘網絡資源
內置Flash編程	- ? 瞬時啟動 - ? 支持安全位操作 - ? 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT編程模式
編程配置模式	- ? 支持JTAG配置模式 - ? 支持背景升級 - ? 支持多達7種GowinCONFIG配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT、I2C Slave

優勢

特性

低功耗

-?? 55nm 嵌入式閃存工藝

-?? LV 版本：支持 1.2V 核電壓

-?? UV 版本：內置線性穩壓單元，支持 2.5V/3.3V 供電電壓

-?? 支持時鐘動態打開/關閉

用戶閃存資源

（GW1NR-1）

- ? 100,000 次寫壽命周期

- ? 超過 10 年的數據保存能力(+85℃)

- ? 可選的數據輸入輸出位寬 8/16/32

- ? 頁存儲空間：256-Byte

- ? 3μA 旁路電流

- ? 頁寫入時間：8.2ms

用戶閃存資源

（GW1NR-2/4/9）

- ? 10,000 次寫壽命周期

- ? 超過 10 年的數據保存能力(+85℃)

- ? 數據位寬 32

- ? GW1NR-2 行存儲容量：96K bits

- ? GW1NR-4 行存儲容量：256K bits

- ? GW1NR-9 行存儲容量：608K bits

- ? 頁擦除能力：2,048 bytes

- ? 字編程時間：≤16μs

- ? 頁擦除時間：≤120ms

配置閃存資源

（GW1NR-1）

- ? 100,000 次寫壽命周期

- ? 超過 10 年的數據保存能力(+85℃)

配置閃存資源

（GW1NR-2/4/9）

- ? 10,000 次寫壽命周期

- ? 超過 10 年的數據保存能力(+85℃)

集成 SDRAM/ PSRAM/ NOR FLASH 存儲芯片

硬核 MIPI D-PHY RX(GW1NR-2)

- ? 支持 MIPI DSI 和 MIPI CSI-2 RX 器件接口

- ? IO Bank6 支持 MIPI D-PHY RX

- ? MIPI 傳輸速率可達 2Gbps

- ? 支持最多四個數據通道和一個時鐘通道

多功能高速 FPGA IO 支持 MIPI D-PHY RX/TX(GW1NR-2)

- ? 支持 MIPI CSI-2 和 DSI，RX 和 TX 器件接口，傳輸速率可達 1.5Gbps

- ? IO Bank0、IO Bank3、IO Bank4、IO Bank5 支持 MIPI D-PHY TX

- ? IO Bank2 支持 MIPI D-PHY RX

支持多種 I/O 電平標準

- ? LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，
?SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI， LVDS25，RSDS，LVDS25E，
?BLVDSE MLVDSE， LVPECLE，RSDSE

- ? 提供輸入信號遲滯選項

- ? 支持4mA、8mA、16mA、24mA等驅動能力

- ? 提供輸出信號驅動電流選項

- ? 對每個I/O提供獨立的Bus Keeper、上拉/下拉電阻及Open Drain輸出選項

- ? 支持熱插拔

- ? GW1NR-9 器件 BANK0 支持 MIPI I/O 輸入，MIPI 傳輸速率可達1.2Gbps

- ? GGW1NR-9 器件 BANK2 支持 MIPI I/O 輸出，MIPI 傳輸速率可達1.2Gbps

- ? GW1NR-9 器件 BANK0 和 BANK2 支持 I3C OpenDrain/PushPull轉換

高性能DSP模塊

-?? 高性能數字信號處理能力

-?? 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits的乘法運算和54bits累加器

-?? 支持多個乘法器級聯

-?? 支持寄存器流水線和旁路功能

-?? 預加運算實現濾波器功能

-?? 支持桶形移位寄存器

豐富的基本邏輯單元

- ? 4輸入LUT(LUT4)

- ? 支持移位寄存器和分布式存儲器

支持多種模式的靜態隨機存儲器

- ? 支持雙端口、單端口以及偽雙端口模式

- ? 支持字節寫使能

靈活的PLL資源

- ? 實現時鐘的倍頻、分頻和相移

- ? 全局時鐘網絡資源

內置Flash編程

- ? 瞬時啟動

- ? 支持安全位操作

- ? 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT編程模式

編程配置模式

- ? 支持JTAG配置模式

- ? 支持多達6種GowinCONFIG配置模式：

?AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

優勢	特性
低功耗	- ? 55nm 嵌入式閃存工藝 - ? 核電壓：1.2V - ? 支持 LV 版本 - ? 支持時鐘動態打開/關閉
硬核微處理器	-?? Cortex-M3 32-bit RISC 內核 -?? ARM3v7M 架構，針對小封裝嵌入式應用方案進行了優化 -?? 系統定時器，提供了一個簡單的 24 位寫清零、遞減、自裝載計數器， ?具有靈活的控制機制 - ?Thumb 兼容，Thumb-2 指令集處理器可以獲取更高的代碼密度? - ?最高 80MHz 的工作頻率? - ?硬件除法和單周期乘法? - ?集成 NVIC，提供確定性中斷處理? - ?26 個中斷，具有 8 個優先級 - ?內存保護單元，提供特權模式來保護操作系統的功能? - ?非對齊數據訪問，數據能夠更高效的裝入內存? - ?Bit-banding，精確的位操作，最大限度的利用了存儲空間，改善了對外設的控制? - ?Timer0 和 Timer1? - ?UART0 和 UART1? - ?watchdog? - ?調試端口：JTAG 和TPIU
用戶閃存資源	- ?32K Byte 存儲空間? - ?32-bit 數據位寬
支持多種 I/O 電平標準	- ?LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI， LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE - ?MLVDSE，LVPECLE，RSDSE? - ?提供輸入信號遲滯選項? - ?支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驅動能力? - ?提供輸出信號驅動電流選項? - ?對每個 I/O 提供獨立的Bus Keeper、上拉/下拉電阻及 Open Drain輸出選項 ? - 支持熱插拔? - ?BANK0 支持 MIPI 輸入? - ?BANK2 支持 MIPI 輸出? - ?BANK0 和 BANK2 支持 I3C
豐富的基本邏輯單元	- ?4 輸入 LUT(LUT4)? - ?支持移位寄存器
支持多種模式的靜態隨機存儲器	- ?支持雙端口、單端口以及偽雙端口模式?
靈活的 PLL 資源	- ?實現時鐘的倍頻、分頻和相移 - ?全局時鐘網絡資源?
內置 Flash 編程	- ?瞬時啟動 - ?支持安全位操作 - ?支持 AUTO BOOT 和DUAL BOOT 編程模式
編程配置模式	- ?支持 JTAG 配置模式 - ?支持片內 DUAL BOOT 配置模式 - ?支持多種 GowinCONFIG 配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

優勢	特性
零功耗	- ?55nm 嵌入式閃存工藝 - ?LV 版本：支持 1.2V 核電壓 - ?ZV 版本：支持 0.9V/1.0V 核電壓? - ?支持時鐘動態打開/關閉 - ?支持動態打開/關閉用戶閃存
電源管理模塊（GW1NZ-1）	- ?SPMI：系統電源管理接口 - ?器件內部 VCC 和 VCCM 各自獨立
用戶閃存資源（GW1NZ-1）	- ?NOR Flash - ?支持動態打開或關閉 - ?存儲容量：64K bits - ?數據位寬：32 - ?10,000 次寫壽命周期 - ?超過 10 年的數據保存能力(+85℃) - ?支持頁擦除：一頁 2048 字節 - ?讀時間：最大 25ns - ?電流 ? ? ? ? 讀操作： 2.19mA/25ns (VCC) & 0.5mA/25ns (VCCX) (Max)? ? ? ? ? 寫操作/擦除操作：12/12mA (Max) - ?快速頁擦除/寫操作? - ?時鐘頻率：40MHz? - ?字寫操作時間：≤16μs? - ?頁擦除時間：≤120ms?
用戶閃存資源（GW1NZ-2）	- ?10,000 次寫壽命周期 - ?超過 10 年的數據保存能力(+85℃) - ?數據位寬：32 - ?存儲容量：96K bits - ?頁擦除能力：2,048-Byte - ?字寫操作時間：≤16μs? - ?頁擦除時間：≤120ms?
配置閃存資源（GW1NZ-1）	- ?NOR Flash - ?10,000 次寫壽命周期 - ?超過 10 年的數據保存能力(+85℃)
配置閃存資源（GW1NZ-2）	- ?NOR Flash - ?10,000 次寫壽命周期 - ?超過 10 年的數據保存能力(+85℃)
MIPI D-PHY RX 硬核（GW1NZ-2）	- ?支持 MIPI CSI-2 和 DSI，RX 器件接口 - ?IO Bank6 支持 MIPI D-PHY RX - ?MIPI 傳輸速率單通道可達 2Gbps - ?支持最多四個數據通道和一個時鐘通道
GPIO 支持以 MIPI IO 模式實現 MIPI D-PHY RX/TX（GW1NZ-2）	- ?支持 MIPI CSI-2 和 DSI，RX 和 TX 器件接口 - ?IO Bank0、IO Bank3、IO Bank4、IO Bank5 支持 MIPI D-PHY TX，傳輸單通道速率可達 1.2Gbps - ?IO Bank2 支持 MIPI D-PHY RX，傳輸速率單通道可達 1.2Gbps
支持多種 I/O 電平標準	- ?GW1NZ-1：LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33， PCI， LVDS25E，BLVDSE，MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - ?GW1NZ-2：LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI， LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE，MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - 提供輸入信號遲滯選項? - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驅動能力? - 提供輸出信號驅動電流選項? - 對每個 I/O 提供獨立的Bus Keeper、上拉/下拉電阻及 Open Drain 輸出選項? - 支持熱插拔? - I3C 硬核，支持 SDR 模式 - 只支持差分輸出，不支持差分輸入
豐富的基本邏輯單元	- ? 4輸入LUT(LUT4) - ? 支持移位寄存器和分布式存儲器
支持多種模式的靜態隨機存儲器	- ? 支持雙端口、單端口以及偽雙端口模式
靈活的PLL資源	- ? 實現時鐘的倍頻、分頻和相移 - ? 全局時鐘網絡資源
內置Flash編程	- ? 瞬時啟動 - ? 支持安全位操作 - ? 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT編程模式
編程配置模式	- ? 支持JTAG配置模式 - ? 支持多達6種GowinCONFIG配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

優勢	特性
低功耗	-??55nm 嵌入式閃存工藝 - ?核電壓：1.2V - ?支持 LV 版本 - ?支持時鐘動態打開/關閉
集成 PSRAM 系統級封裝芯片
硬核微處理器	- ?Cortex-M3 32-bit RISC 內核 - ?ARM3v7M 架構，針對小封裝嵌入式應用方案進行了優化 - ?系統定時器，提供了一個簡單的 24 位寫清零、遞減、自裝載計數器，具有靈活的控制機制 - ?Thumb 兼容，Thumb-2 指令集處理器可以獲取更高的代碼密度 - ?最高 80MHz 的工作頻率 - ?硬件除法和單周期乘法 - ?集成 NVIC，提供確定性中斷處理 - ?26 個中斷，具有 8 個優先級 - ?內存保護單元，提供特權模式來保護操作系統的功能 - ?非對齊數據訪問，數據能夠更高效的裝入內存 - ?Bit-banding，精確的位操作，最大限度的利用了存儲空間，改善了對外設的控制 - ?UART0 和 UART1 - ?watchdog - ?調試端口：JTAG 和 TPIU
用戶閃存資源	- ? 32K Byte 存儲空間 - ? 32-bit 數據位寬
支持多種 I/O 電平標準	- ?LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I，SSTL33/25/18 II， SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI，LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE - ? MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - ? 提供輸入信號遲滯選項 - ? 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驅動能力 - ? 提供輸出信號驅動電流選項 - ? 對每個 I/O 提供獨立的 Bus Keeper、上拉/下拉電阻及 Open Drain輸出選項 - ? 支持熱插拔 - ? BANK0 支持 MIPI 輸入 - ? BANK2 支持 MIPI 輸出 - ? BANK0 和 BANK2 支持 I3C
豐富的基本邏輯單元	- ? 4 輸入 LUT(LUT4) - ? 支持移位寄存器
支持多種模式的靜態隨機存儲器	- ? 支持雙端口、單端口以及偽雙端口模式
靈活的 PLL 資源	- ? 實現時鐘的倍頻、分頻和相移 - ? 全局時鐘網絡資源
內置 Flash 編程	- ? 瞬時啟動 - ? 支持安全位操作 - ? 支持 AUTO BOOT 和 DUAL BOOT 編程模式
編程配置模式	- ? 支持 JTAG 配置模式 - ? 支持片內 DUAL BOOT 配置模式 - ? 支持多種 GowinCONFIG 配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

高云安全芯片產品提供了一個基于物理不可克隆功能（PUF）技術的硬件安全根。SRAM Based PUF使用RAM設備的上電行為來區分芯片。它們幾乎不可能被復制、克隆或預測，適用于安全密鑰的生成和存儲、設備身份驗證、安全啟動、數據加密和芯片資產管理等應用。SRAM PUF技術已被用于安全保護超過1億臺設備。

●SRAM Based PUF

△無需私鑰存儲

△上電時設備密鑰恢復

●芯片出廠時即可提供

△Activation, UUID, 證書

●低成本，小封裝

△2.5 x 2.5 mm2

小蜜蜂家族

內置ID Broadkey Pro安全庫配有Gowin 安全芯片設備，可以輕松地將常見的安全功能集成到用戶應用程序中。這些功能允許用戶創建唯一的設備標識符，為安全引導生成/驗證簽名，并加密/解密數據。

● 器件唯一的密鑰

● 隨機數生成

● 橢圓曲線私鑰生成和存儲

● 導入導出公鑰

● 簽名生成和驗證

● 密鑰協議功能

● 公鑰加密和解密

優勢	特性
低功耗	-??55nm 嵌入式閃存工藝 -??核電壓：1.2V -??支持 LV 版本 -??支持時鐘動態打開/關閉
集成 HyperRAM 存儲芯片
集成 NOR FLASH 存儲芯片
硬核微處理器	- ?Cortex-M3 32-bit RISC 內核 - ?ARM3v7M 架構，針對小封裝嵌入式應用方案進行了優化 - ?系統定時器，提供了一個簡單的 24 位寫清零、遞減、自裝載計數器，具有靈活的控制機制 - ?Thumb 兼容，Thumb-2 指令集處理器可以獲取更高的代碼密度 - ?最高 80MHz 的工作頻率 - ?硬件除法和單周期乘法 - ?集成 NVIC，提供確定性中斷處理 - ?26 個中斷，具有 8 個優先級 - ?內存保護單元，提供特權模式來保護操作系統的功能 - ?非對齊數據訪問，數據能夠更高效的裝入內存 - ?Bit-banding，精確的位操作，最大限度的利用了存儲空間，改善了對外設的控制 - ?Timer0 和 Timer1 - ?UART0 和 UART1 - ?watchdog - ?調試端口：JTAG 和 TPIU
提供 OTP 認證碼
用戶閃存資源	- ?256Kb 存儲空間 - ?32-bit 數據位寬
支持多種 I/O 電平標準	- ? LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，SSTL15； HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI， LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE - ? MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - ? 提供輸入信號遲滯選項 - ? 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驅動能力 - ? 提供輸出信號驅動電流選項 - ? 對每個 I/O 提供獨立的 Bus Keeper、上拉/下拉電阻及 Open Drain輸出選項 - ? 支持熱插拔 - ? 支持 MIPI 接口 - ? 支持 I3C
豐富的基本邏輯單元	- ? 4 輸入 LUT(LUT4) - ? 支持移位寄存器
支持多種模式的靜態隨機存儲器	- ? 支持雙端口、單端口以及偽雙端口模式
靈活的 PLL 資源	- ? 實現時鐘的倍頻、分頻和相移 - ? 全局時鐘網絡資源
內置 Flash 編程	- ? 瞬時啟動 - ? 支持安全位操作 - ? 支持 AUTO BOOT 和 DUAL BOOT 編程模式
編程配置模式	- ? 支持 JTAG 配置模式 - ? 支持多種 GowinCONFIG 配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、 CPU、SERIAL

GW1NRF系列藍牙可編輯邏輯器件產品高性能、低功耗，集成32bits低功耗 MCU，功耗低至5nA的電源管理單元，及低功耗藍牙5.0技術。通過集成具有靈活I/O和異構計算能力的可編輯邏輯器件，進一步拓展了藍牙設備的靈活性。

● 集成低功耗藍牙5.0技術

● 內嵌32bits低功耗ARC處理器

△ 136kB ROM

△ 128kB OTP for power efficiency ：128KB OTP

△ 48kB IRAM and 28kB DRAM

● 電源管理單元

△ 芯片不使能時電流5nA¹

△ 休眠模式時電流1.0uA¹

△ 處理器和可編輯邏輯器件同時工作時電流<5mA

● 安全特性

△ TRNG

△ AES-128硬核加密

△ ECC-P256密鑰生成器

注1：不包括外部調節器在待機狀態下的漏電流

器件	GW1N- 1	GW1N- 2	GW1N- 4	GW1N- 9	GW1N- 1S	GW1N-1P5
邏輯單元(LUT4)	1152	2304	4608	8640	1152	1584
寄存器(FF)	864	2016	3456	6480	864	1584
分布式靜態隨機存儲器 SSRAM(bits)	0	18K	0	16K	0	12K
塊狀靜態隨機存儲器 BSRAM(bits)	72K	72K	180K	468K	72K	72K
塊狀靜態隨機存儲器數目 BSRAM(個)	4	4	10	26	4	4
用戶閃存- bits	96K	96K	256K	608K	96K	96K
乘法器(18x18 Multiplier)	0	0	16	20	0	0
鎖相環(PLLs)	1	1	2	2	1	1
I/O Bank 總數	4	6^注 2	4	4	3	6
最多用戶 I/O	120	125	218	276	44	125
核電壓（LV 版本）	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V
核電壓（UV 版本）	1.8V/2.5V/3.3V? ^注1	1.8V/2.5V/3.3V	2.5V/3.3V??^注6	2.5V/3.3V??^注6	-	1.8V/2.5V/3.3V

封裝	間距(mm)	尺寸(mm)	GW1N- 1	GW1N- 2	GW1N- 4	GW1N- 9	GW1N- 1S	GW1N-1P5
CS30	0.4	2.3x2.4	24	-	-	-	23	-
QN32	0.5	5x5	-	21(1)	24(3)	-	-	-
QN32X	0.5	5x5	-	21(1)	-	-	-	-
FN32	0.4	4x4	-	-	-	-	25	-
CS42	0.4	2.4x2.9	-	24(7)	-	-	-	-
CS42H	0.4	2.4x2.9	-	21(3)	-	-	-	-
QN48	0.4	6x6	-	41(12)	40(9)	40(12)	-	-
QN48H	0.4	6x6	-	31(8)	-	-	-	-
QN48F	0.4	6x6	-	-	-	40(11)	-	-
QN48X	0.5	7x7	-	-	-	-	-	39(10)
QN48XF	0.5	7x7	-	-	-	-	-	40(11)
CM64	0.5	4.1x4.1	-	-	-	55(16)注 3	-	-
CS72	0.4	3.6x3.3	-	-	58(19)	-	-	-
CS81M	0.4	4.1x4.1	-	-	-	55(15)	-	-
QN88	0.4	10x10	-	58(17)	71(11)	71(19)	-	-
CS100H	0.4	4x4	-	79(21)	-	-	-	-
LQ100	0.5	14x14	-	80(15)	80(13)	80(20)	-	80(16)
LQ100X	0.5	14x14	-	80(15)	-	-	-	80(16)
LQ144	0.5	20x20	-	113(28)	120(22)	121(28)	-	-
LQ144X	0.5	20x20	-	113(28)	-	-	-	-
LQ144F	0.5	20x20	-	115(27)	-	-	-	-
EQ144	0.5	20x20	-	-	-	121(28)	-	-
MG49	0.5	3.8x3.8	-	42(11)	-	-	-	-
MG100	0.5	5x5	-	-	-	87(25)	-	-
MG100T	0.5	5x5	-	-	-	87(17)	-	-
MG121	0.5	6x6	-	100(28)	-	-	-	-
MG121X	0.5	6x6	-	100(28)	-	-	-	-
MG132	0.5	8x8	-	104(29)	-	-	-	-
MG132H	0.5	8x8	-	95(29)	-	-	-	-
MG132X	0.5	8x8	-	104(29)	105(23)	-	-	-
MG160	0.5	8x8	-	-	132(25)	132(38)	-	-
UG169	0.8	11x11	-	-	129(27)	129(38)	-	-
LQ176	0.4	20x20	-	-	-	147(37)	-	-
EQ176	0.4	20x20	-	-	-	148(37)	-	-
MG196	0.5	8x8	-	-	-	113(35)	-	-
PG256	1.0	17x17	-	-	208(32)	208(36)	-	-
PG256M	1.0	17x17	-	-	208(32)	-	-	-
UG256	0.8	14x14	-	-	-	207(36)	-	-
UG332	0.8	17x17	-	-	-	274(43)	-	-

器件	GW1N-2（車規級）	GW1N-4（車規級）	GW1N-9（車規級）
邏輯單元(LUT4)	2304	4608	8640
寄存器	2016	3456	6480
分布式靜態隨機存儲器SSRAM(bits)	18K	0	16K
塊狀靜態隨機存儲器BSRAM(bits)	72K	180K	468K
塊狀靜態隨機存儲器數目BSRAM(個)	4	10	26
用戶閃存(bits)	96K	256K	608K
乘法器(18 x 18 Multiplier)	0	16	20
鎖相環(PLLs)	1	2	2
I/O Bank總數	6	4	4
最大GPIO數	125	218	276
核電壓（LV版本）	1.2V	1.2V	1.2V

封裝	間距(mm)	尺寸(mm)	GW1N-2（車規級）	GW1N-4（車規級）	GW1N-9（車規級）
QN60	0.35	6 x 6	-	-	44(11)
QN88	0.4	10 x 10	57（17）	70（11）	-
QN88F	0.4	10 x 10	-	-	70(24)

器件	GW1NZ-1	GW1NZ-2
邏輯單元(LUT4)	1152	2304
寄存器(FF)	864	2016
分布式靜態隨機存儲器 SSRAM(bits)	4K	18K
塊狀靜態隨機存儲器 BSRAM(bits)	72K	72K
鎖相環(PLLs)	1	1
用戶閃存-bits	64K	96K
最大GPIO數	48	125
核電壓典型值(LV版本)	1.2V	1.2V
核電壓典型值(ZV版本)	0.9V/1.0V	0.9V/1.0V

器件	GW1NR- 1	GW1NR- 2	GW1NR- 4	GW1NR- 9
邏輯單元(LUT4)	1,152	2,304	4,608	8,640
寄存器(FF)	864	2,304 (FF +Latch, 其中FF：2016)	3,456	6,480
分布式靜態隨機存儲器 SSRAM(bits)	0	18K	0	16K
塊狀靜態隨機存儲器 BSRAM(bits)	72K	72K	180K	468K
塊狀靜態隨機存儲器 BSRAM(個)	4	4	10	26
用戶閃存- bits	96K	96K	256K	608K
SDR SDRAM (bits)	-	-	64M	64M
PSRAM(bits)	-	64M(MG49P) 32M(MG49PG)	32M(QN88P) 64M(MG81P)	64M (QN88P/LQ144P/MG100PT/MG100PS) 128M(MG100P/MG100PF/mg100pa)
NOR FLASH (bits)	4M	4M (MG49G/MG49PG)	-	-
乘法器(18x18 Multiplier)	0	0	16	20
鎖相環(PLLs)	1	1	2	2
I/O Bank 總數	4	7	4	4
最大GPIO數	120	126	218	276
核電壓（LV 版本）	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V
核電壓（UV 版本）	-	1.8V/2.5/3.3V	2.5/3.3V	2.5/3.3V

封裝	器件	Memory類型	容量	位寬
QN88	GW1NR-4	SDR SDRAM	64M	16 bits
QN88	GW1NR-9	SDR SDRAM	64M	16 bits
QN88P	GW1NR-4	PSRAM	32M	8 bits
QN88P	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
MG81P	GW1NR-4	PSRAM	64M	16 bits
MG100P	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PF	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PA	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PT	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
MG100PS	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
LQ144P	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
FN32G EQ144G QN32X QN48X LQ100G	GW1NR-1	NOR FLASH	4M	1 bit
MG49P	GW1NR-2	PSRAM	64M	16 bits
MG49G	GW1NR-2	NOR FLASH	4M	1 bit
MG49PG	GW1NR-2	PSRAM	32M	8 bits
MG49PG	GW1NR-2	NOR FLASH	4M	1 bit

器件	GW1NS- 4	GW1NS- 4C
邏輯單元(LUT4)	4,608	4,608
寄存器(FF)	3,456	3,456
塊狀靜態隨機存儲器 BSRAM(bits)	180K	180K
塊狀靜態隨機存儲器 BSRAM(個)	10	10
乘法器(18 x 18 Multiplier)	16	16
用戶閃存- bits	256K	-
鎖相環(PLLs)	2	2
OSC	1，精度 ±5%	1，精度 ±5%
硬核處理器	-	Cortex- M3
I/O Bank 總數	4	4
最大GPIO數	106	106
核電壓	1.2V	1.2V

器件	GW1NSR- 4	GW1NSR- 4C
邏輯單元(LUT4)	4,608	4,608
寄存器(FF)	3,456	3,456
塊狀靜態隨機存儲器 BSRAM(bits)	180K	180K
塊狀靜態隨機存儲器 BSRAM(個)	10	10
乘法器(18 x 18 Multiplier)	16	16
用戶閃存- bits	256K	-
PSRAM(bits)	64M	64M
HyperRAM(bits)	-	64M
NOR FLASH (bits)	-	32M
鎖相環(PLLs)	2	2
OSC	1，精度 ±5%	1，精度 ±5%
硬核處理器	-	Cortex- M3
I/O Bank 總數	4	4
最多用戶 I/O	106	106
核電壓	1.2V	1.2V

器件	封裝	Memory 類型	容量	位寬
GW1NSR-4	MG64P	PSRAM	64Mb	16 bits
GW1NSR- 4C	MG64P	PSRAM	64Mb	16 bits
	QN48P	HyperRAM	64MB	8 bits
	QN48G	NOR FLASH	32Mb	1 bit

器件	GW1NSE- 4C
邏輯單元(LUT4)	4,608
寄存器(FF)	3,456
塊狀靜態隨機存儲器 BSRAM(bits)	180K
塊狀靜態隨機存儲器數目 BSRAM(個)	10
分布式靜態隨機存儲器 SSRAM(bits)	0
用戶閃存(bits)	-
18X18乘法器	16
鎖相環(PLLs)	2
OSC	1,+/-5% accuracy
硬核處理器	Cortex- M3
I/O Banks	3
核電壓	1.2V
最多用戶 I/O	106

器件	GW1NSER- 4C
邏輯單元(LUT4)	4,608
寄存器(FF)	3,456
塊狀靜態隨機存儲器 BSRAM(bits)	180K
塊狀靜態隨機存儲器 BSRAM(個)	10
用戶閃存- bits	-
HyperRAM(bits)	64M
NOR FLASH (bits)	32M
乘法器(18x18 Multiplier)	16
鎖相環(PLLs)	2
I/O Bank 總數	4
最多用戶 I/O	106
OSC	1，精度 ±5%
硬核處理器	Cortex- M3
核電壓	1.2V

器件	GW1NRF-4B
邏輯單元(LUT4)	4606
寄存器(FF)	3456
塊狀靜態隨機存儲器 BSRAM(bits)	180K
塊狀靜態隨機存儲器 BSRAM（個）	10
用戶閃存-bits	256K
18X18乘法器	16
PLLs	2
I/O Bank總數	4
最大GPIO數	25
硬核處理器	ARC EM4
內存模塊	136KB ROM 48KB IRAM 28KB DRAM 128KB OTP
射頻模塊	藍牙 5.0 低功耗
安全加密模塊	AES 硬核加密 TRNG 密鑰生成器
低功耗模塊	電源管理模塊 DCDC 轉換器
核電壓（LV）	1.2V
核電壓（UV）	1.8V/2.5V/3.3V